APTM100VDA35T3G - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Référence fabricant

APTM100VDA35T3G

Numéro de pièce interne

ABC-APTM100VDA35T3G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

60788 Pieces

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Spécifications pour APTM100VDA35T3G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM100VDA35T3G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Séries : POWER MOS 7®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V (1kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V

Puissance - Max : 390W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP3

Package d'appareils du fournisseur : SP3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM1 , APTM100

Documents pour APTM100VDA35T3G

Feuilles de données : APTM100VDA35T3G.pdf

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