SI3552DV-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Référence fabricant

SI3552DV-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI3552DV-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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2472330 Pieces

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Spécifications pour SI3552DV-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI3552DV-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 1.15W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI35 , SI3552D

Documents pour SI3552DV-T1-E3

Feuilles de données : SI3552DV-T1-E3.pdf

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