VS-20ETF10-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Référence fabricant

VS-20ETF10-M3

Numéro de pièce interne

ABC-VS-20ETF10-M3

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

189096 Pieces

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Spécifications pour VS-20ETF10-M3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-20ETF10-M3

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 20A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 20A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 95ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1000V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-220-2

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AC

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-2 , VS-20E

Documents pour VS-20ETF10-M3

Feuilles de données : VS-20ETF10-M3.pdf

Produits associés pour VS-20ETF10-M3 Vishay Semiconductor Diodes Division

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