IXDN602SIATR - 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN

Référence fabricant

IXDN602SIATR

Numéro de pièce interne

ABC-IXDN602SIATR

Fabricant

IXYS Integrated Circuits Division

Brève description

2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

1299781 Pieces

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Spécifications pour IXDN602SIATR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXDN602SIATR

Fabricant : IXYS Integrated Circuits Division

La description : 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration pilotée : Low-Side

Type de canal : Independent

Nombre de conducteurs : 2

Type de porte : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tension - Alimentation : 4.5V ~ 35V

Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 3V

Courant - sortie de crête (source, puits) : 2A, 2A

Type d'entrée : Non-Inverting

Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -

Temps de montée / descente (type) : 7.5ns, 6.5ns

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXDN , IXDN60

Documents pour IXDN602SIATR

Feuilles de données : IXDN602SIATR.pdf

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