STQ1NK80ZR-AP - MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Référence fabricant

STQ1NK80ZR-AP

Numéro de pièce interne

ABC-STQ1NK80ZR-AP

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1940442 Pieces

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Spécifications pour STQ1NK80ZR-AP

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STQ1NK80ZR-AP

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Séries : SuperMESH™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3

Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STQ1 , STQ1NK

Documents pour STQ1NK80ZR-AP

Feuilles de données : STQ1NK80ZR-AP.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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