APTSM120TAM33CTPAG - POWER MODULE - SIC

Référence fabricant

APTSM120TAM33CTPAG

Numéro de pièce interne

ABC-APTSM120TAM33CTPAG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

POWER MODULE - SIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

59073 Pieces

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Spécifications pour APTSM120TAM33CTPAG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTSM120TAM33CTPAG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : POWER MODULE - SIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 112A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 3mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 408nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7680pF @ 1000V

Puissance - Max : 714W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP6

Package d'appareils du fournisseur : SP6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTSM1 , APTSM120T

Documents pour APTSM120TAM33CTPAG

Feuilles de données : APTSM120TAM33CTPAG.pdf

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