IPW60R125P6XKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO247-3

Référence fabricant

IPW60R125P6XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPW60R125P6XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 600V TO247-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPW60R125P6XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPW60R125P6XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 600V TO247-3

Séries : CoolMOS™ P6

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 960µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2660pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 219W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247-3

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPW60 , IPW60R12

Documents pour IPW60R125P6XKSA1

Feuilles de données : IPW60R125P6XKSA1.pdf

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