GKI06259 - MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN

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MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
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Spécifications pour GKI06259

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GKI06259
Fabricant : Sanken
La description : MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GK , GKI0

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Feuilles de données : GKI06259.pdf

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