FQAF13N80 - MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF

Référence fabricant

FQAF13N80

Numéro de pièce interne

ABC-FQAF13N80

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FQAF13N80

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQAF13N80

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 120W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3PF

Paquet / caisse : TO-3P-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQA , FQAF

Documents pour FQAF13N80

Feuilles de données : FQAF13N80.pdf

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