IXFR24N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Référence fabricant

IXFR24N100Q3

Numéro de pièce interne

ABC-IXFR24N100Q3

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFR24N100Q3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFR24N100Q3

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 490 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : ISOPLUS247™

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXFR , IXFR24

Documents pour IXFR24N100Q3

Feuilles de données : IXFR24N100Q3.pdf

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