CY7S1061GE30-10BVM - 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI

Référence fabricant

CY7S1061GE30-10BVM

Numéro de pièce interne

ABC-CY7S1061GE30-10BVM

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Brève description

16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

92448 Pieces

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Spécifications pour CY7S1061GE30-10BVM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CY7S1061GE30-10BVM

Fabricant : Cypress Semiconductor Corp

La description : 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : SRAM

La technologie : SRAM - Synchronous

Taille mémoire : 16Mb (1M x 16)

Fréquence d'horloge : -

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 10ns

Temps d'accès : 10ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 2.2V ~ 3.6V

Température de fonctionnement : -55°C ~ 125°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 48-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 48-VFBGA (6x8)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CY7S10 , CY7S1061G

Documents pour CY7S1061GE30-10BVM

Feuilles de données : CY7S1061GE30-10BVM.pdf

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WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
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