RN2712JE(TE85L,F) - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Référence fabricant

RN2712JE(TE85L,F)

Numéro de pièce interne

ABC-RN2712JE(TE85L,F)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RN2712JE(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RN2712JE(TE85L,F)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 22 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)

Fréquence - Transition : 200MHz

Puissance - Max : 100mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-553

Package d'appareils du fournisseur : ESV

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RN271 , RN2712JE

Documents pour RN2712JE(TE85L,F)

Feuilles de données : RN2712JE(TE85L,F).pdf

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