IRFD220PBF - MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

Référence fabricant

IRFD220PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFD220PBF

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IRFD220PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFD220PBF

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 480mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paquet / caisse : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRFD2

Documents pour IRFD220PBF

Feuilles de données : IRFD220PBF.pdf

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