BYM11-50HE3/97 - DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Référence fabricant

BYM11-50HE3/97

Numéro de pièce interne

ABC-BYM11-50HE3/97

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BYM11-50HE3/97

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYM11-50HE3/97

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Séries : SUPERECTIFIER®

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 150ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 50V

Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-213AB, MELF (Glass)

Package d'appareils du fournisseur : DO-213AB

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYM1 , BYM11-5

Documents pour BYM11-50HE3/97

Feuilles de données : BYM11-50HE3/97.pdf

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