FDS6930B - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Référence fabricant

FDS6930B

Numéro de pièce interne

ABC-FDS6930B

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDS6930B

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDS6930B

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 412pF @ 15V

Puissance - Max : 900mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDS6

Documents pour FDS6930B

Feuilles de données : FDS6930B.pdf

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