BUK653R2-55C,127 - MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

Référence fabricant

BUK653R2-55C,127

Numéro de pièce interne

ABC-BUK653R2-55C,127

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BUK653R2-55C,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK653R2-55C,127

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 258nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15300pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 306W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK65 , BUK653R2

Documents pour BUK653R2-55C,127

Feuilles de données : BUK653R2-55C,127.pdf

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