AOTF4N60 - MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Référence fabricant

AOTF4N60

Numéro de pièce interne

ABC-AOTF4N60

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour AOTF4N60

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AOTF4N60

Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

La description : MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 615pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 35W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AO , AOTF

Documents pour AOTF4N60

Feuilles de données : AOTF4N60.pdf

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