FQPF19N10 - MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Référence fabricant

FQPF19N10

Numéro de pièce interne

ABC-FQPF19N10

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQPF19N10

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQPF19N10

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQP , FQPF

Documents pour FQPF19N10

Feuilles de données : FQPF19N10.pdf

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