2SK2009TE85LF - MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Référence fabricant

2SK2009TE85LF

Numéro de pièce interne

ABC-2SK2009TE85LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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3490529 Pieces

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Spécifications pour 2SK2009TE85LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 2SK2009TE85LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 3V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 200mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-59-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 2SK2 , 2SK200

Documents pour 2SK2009TE85LF

Feuilles de données : 2SK2009TE85LF.pdf

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