FQP6N60C - MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Référence fabricant

FQP6N60C

Numéro de pièce interne

ABC-FQP6N60C

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQP6N60C

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQP6N60C

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQ , FQP6

Documents pour FQP6N60C

Feuilles de données : FQP6N60C.pdf

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