QS8K11TCR - 4V DRIVE NCHNCH MOSFET

Référence fabricant

QS8K11TCR

Numéro de pièce interne

ABC-QS8K11TCR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

4V DRIVE NCHNCH MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

2224040 Pieces

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Spécifications pour QS8K11TCR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : QS8K11TCR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : 4V DRIVE NCHNCH MOSFET

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : -

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Package d'appareils du fournisseur : TSMT8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : QS8 , QS8K

Documents pour QS8K11TCR

Feuilles de données : QS8K11TCR.pdf

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