CSD25303W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Référence fabricant

CSD25303W1015

Numéro de pièce interne

ABC-CSD25303W1015

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour CSD25303W1015

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD25303W1015

Fabricant : T-I

La description : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-DSBGA (1x1.5)

Paquet / caisse : 6-UFBGA, DSBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD2 , CSD253

Documents pour CSD25303W1015

Feuilles de données : CSD25303W1015.pdf

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