SIHU3N50DA-GE3 - MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Référence fabricant

SIHU3N50DA-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIHU3N50DA-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1664747 Pieces

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Spécifications pour SIHU3N50DA-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIHU3N50DA-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 177pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 69W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : IPAK (TO-251)

Paquet / caisse : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIHU , SIHU3N5

Documents pour SIHU3N50DA-GE3

Feuilles de données : SIHU3N50DA-GE3.pdf

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