HUF75639S3ST - MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Référence fabricant

HUF75639S3ST

Numéro de pièce interne

ABC-HUF75639S3ST

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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486647 Pieces

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Spécifications pour HUF75639S3ST

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HUF75639S3ST

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Séries : UltraFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 56A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 20V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HUF7 , HUF756

Documents pour HUF75639S3ST

Feuilles de données : HUF75639S3ST.pdf

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