EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Référence fabricant

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Numéro de pièce interne

ABC-EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2

Taille mémoire : 4Gb (64M x 64)

Fréquence d'horloge : 533MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EDB4064 , EDB4064B4PB

Documents pour EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Feuilles de données : EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR.pdf

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