PMV31XN,215 - MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23

Référence fabricant

PMV31XN,215

Numéro de pièce interne

ABC-PMV31XN,215

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PMV31XN,215

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMV31XN,215

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 280mW (Tj)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB (SOT23)

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMV , PMV31

Documents pour PMV31XN,215

Feuilles de données : PMV31XN,215.pdf

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