IXFK26N100P - MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Référence fabricant

IXFK26N100P

Numéro de pièce interne

ABC-IXFK26N100P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

58032 Pieces

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Spécifications pour IXFK26N100P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFK26N100P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Séries : HiPerFET™, PolarP2™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 26A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 780W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-264AA (IXFK)

Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFK2

Documents pour IXFK26N100P

Feuilles de données : IXFK26N100P.pdf

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