NDBA170N06AT4H - MOSFET N-CH 60V 170A DPAK

Référence fabricant

NDBA170N06AT4H

Numéro de pièce interne

ABC-NDBA170N06AT4H

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 170A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

87232 Pieces

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Spécifications pour NDBA170N06AT4H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDBA170N06AT4H

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 170A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 170A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 280nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15800pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NDBA , NDBA170

Documents pour NDBA170N06AT4H

Feuilles de données : NDBA170N06AT4H.pdf

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