SQ2337ES-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Référence fabricant

SQ2337ES-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQ2337ES-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQ2337ES-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQ2337ES-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQ233 , SQ2337E

Documents pour SQ2337ES-T1_GE3

Feuilles de données : SQ2337ES-T1_GE3.pdf

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