SI4816BDY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Référence fabricant

SI4816BDY-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4816BDY-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI4816BDY-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4816BDY-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Séries : LITTLE FOOT®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.8A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 1W, 1.25W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI481 , SI4816B

Documents pour SI4816BDY-T1-E3

Feuilles de données : SI4816BDY-T1-E3.pdf

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