SIHD2N80E-GE3 - MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Référence fabricant

SIHD2N80E-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIHD2N80E-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIHD2N80E-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIHD2N80E-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Séries : E

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252AA)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIHD , SIHD2N

Documents pour SIHD2N80E-GE3

Feuilles de données : SIHD2N80E-GE3.pdf

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