IXFN180N25T - MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Référence fabricant

IXFN180N25T

Numéro de pièce interne

ABC-IXFN180N25T

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFN180N25T

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFN180N25T

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Séries : GigaMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 168A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 345nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 900W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-227B

Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFN1

Documents pour IXFN180N25T

Feuilles de données : IXFN180N25T.pdf

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