HUF76629D3 - MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

Référence fabricant

HUF76629D3

Numéro de pièce interne

ABC-HUF76629D3

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour HUF76629D3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HUF76629D3

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

Séries : UltraFET™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1285pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HUF , HUF76

Documents pour HUF76629D3

Feuilles de données : HUF76629D3.pdf

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