IXFK180N10 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA

Référence fabricant

IXFK180N10

Numéro de pièce interne

ABC-IXFK180N10

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFK180N10

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFK180N10

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 390nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 560W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-264AA (IXFK)

Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFK1

Documents pour IXFK180N10

Feuilles de données : IXFK180N10.pdf

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