PHB112N06T,118 - MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Référence fabricant

PHB112N06T,118

Numéro de pièce interne

ABC-PHB112N06T,118

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PHB112N06T,118

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PHB112N06T,118

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 75A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4352pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PHB1 , PHB112N

Documents pour PHB112N06T,118

Feuilles de données : PHB112N06T,118.pdf

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