BSS192PE6327T - MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Référence fabricant

BSS192PE6327T

Numéro de pièce interne

ABC-BSS192PE6327T

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSS192PE6327T

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSS192PE6327T

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT89

Paquet / caisse : TO-243AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSS1 , BSS192

Documents pour BSS192PE6327T

Feuilles de données : BSS192PE6327T.pdf

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