STH160N4LF6-2 - MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Référence fabricant

STH160N4LF6-2

Numéro de pièce interne

ABC-STH160N4LF6-2

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour STH160N4LF6-2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STH160N4LF6-2

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 181nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8130pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : H2Pak-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STH1 , STH160

Documents pour STH160N4LF6-2

Feuilles de données : STH160N4LF6-2.pdf

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