FDI047AN08A0 - MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Référence fabricant

FDI047AN08A0

Numéro de pièce interne

ABC-FDI047AN08A0

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDI047AN08A0

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDI047AN08A0

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 75V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 310W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDI0 , FDI047

Documents pour FDI047AN08A0

Feuilles de données : FDI047AN08A0.pdf

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