NSVBAS19LT1G - DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Référence fabricant

NSVBAS19LT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NSVBAS19LT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

19524302 Pieces

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Spécifications pour NSVBAS19LT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NSVBAS19LT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 120V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 200mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NSVB , NSVBAS

Documents pour NSVBAS19LT1G

Feuilles de données : NSVBAS19LT1G.pdf

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