TSM1NB60CW RPG - MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Référence fabricant

TSM1NB60CW RPG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM1NB60CW RPG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TSM1NB60CW RPG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM1NB60CW RPG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 138pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 39W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM1 , TSM1NB6

Documents pour TSM1NB60CW RPG

Feuilles de données : TSM1NB60CW RPG.pdf

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