2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Référence fabricant

2SK3666-3-TB-E

Numéro de pièce interne

ABC-2SK3666-3-TB-E

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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6809334 Pieces

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Spécifications pour 2SK3666-3-TB-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 2SK3666-3-TB-E

Fabricant : ON Semiconductor

La description : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

Tension - Panne (V (BR) GSS) : -

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Drain actuel (Id) - Max : 10mA

Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id : 180mV @ 1µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V

Résistance - RDS (On) : 200 Ohms

Puissance - Max : 200mW

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : 3-CP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 2SK3 , 2SK3666

Documents pour 2SK3666-3-TB-E

Feuilles de données : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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