HAT2131R-EL-E - MOSFET N-CH 8SO

Référence fabricant

HAT2131R-EL-E

Numéro de pièce interne

ABC-HAT2131R-EL-E

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 8SO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

86912 Pieces

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Spécifications pour HAT2131R-EL-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HAT2131R-EL-E

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 8SO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 350V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 900mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 450mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HAT2 , HAT213

Documents pour HAT2131R-EL-E

Feuilles de données : HAT2131R-EL-E.pdf

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