BSS670S2LH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Référence fabricant

BSS670S2LH6327XTSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSS670S2LH6327XTSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSS670S2LH6327XTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSS670S2LH6327XTSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 540mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 270mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2.7µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.26nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSS670 , BSS670S2L

Documents pour BSS670S2LH6327XTSA1

Feuilles de données : BSS670S2LH6327XTSA1.pdf

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