BLF8G27LS-100J - RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

Référence fabricant

BLF8G27LS-100J

Numéro de pièce interne

ABC-BLF8G27LS-100J

Fabricant

Ampleon USA Inc.

Brève description

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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53664 Pieces

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Spécifications pour BLF8G27LS-100J

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BLF8G27LS-100J

Fabricant : Ampleon USA Inc.

La description : RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 2.5GHz ~ 2.7GHz

Gain : 17dB

Tension - Test : 28V

Note actuelle : -

Figure de bruit : -

Courant - Test : 900mA

Puissance - sortie : 25W

Tension - nominale : 65V

Paquet / caisse : SOT-502B

Package d'appareils du fournisseur : SOT502B

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BLF8 , BLF8G27

Documents pour BLF8G27LS-100J

Feuilles de données : BLF8G27LS-100J.pdf

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