HS8K11TB - MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Référence fabricant

HS8K11TB

Numéro de pièce interne

ABC-HS8K11TB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour HS8K11TB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HS8K11TB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.1nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-UDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : HSML3030L10

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HS , HS8K

Documents pour HS8K11TB

Feuilles de données : HS8K11TB.pdf

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