US1M-E3/5AT - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Référence fabricant

US1M-E3/5AT

Numéro de pièce interne

ABC-US1M-E3/5AT

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

6201097 Pieces

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Spécifications pour US1M-E3/5AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : US1M-E3/5AT

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 75ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 1000V

Capacité @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AC, SMA

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : US1 , US1M-

Documents pour US1M-E3/5AT

Feuilles de données : US1M-E3/5AT.pdf

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