TPH1R712MD,L1Q - MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Référence fabricant

TPH1R712MD,L1Q

Numéro de pièce interne

ABC-TPH1R712MD,L1Q

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TPH1R712MD,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPH1R712MD,L1Q

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Séries : U-MOSVI

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 182nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10900pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 78W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP Advance (5x5)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPH1 , TPH1R71

Documents pour TPH1R712MD,L1Q

Feuilles de données : TPH1R712MD,L1Q.pdf

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