RND030N20TL - MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Référence fabricant

RND030N20TL

Numéro de pièce interne

ABC-RND030N20TL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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quantité disponible

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Spécifications pour RND030N20TL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RND030N20TL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 870 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 850mW (Ta), 20W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : CPT3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RND , RND03

Documents pour RND030N20TL

Feuilles de données : RND030N20TL.pdf

Produits associés pour RND030N20TL Rohm Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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