VP3203N8-G - MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3

Référence fabricant

VP3203N8-G

Numéro de pièce interne

ABC-VP3203N8-G

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour VP3203N8-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VP3203N8-G

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-243AA (SOT-89)

Paquet / caisse : TO-243AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VP3 , VP320

Documents pour VP3203N8-G

Feuilles de données : VP3203N8-G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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