RQ1A070APTR - MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Référence fabricant

RQ1A070APTR

Numéro de pièce interne

ABC-RQ1A070APTR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

2376213 Pieces

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Spécifications pour RQ1A070APTR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ1A070APTR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 550mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TSMT8

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ1 , RQ1A0

Documents pour RQ1A070APTR

Feuilles de données : RQ1A070APTR.pdf

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